KVVP2-22控制电缆中铜带屏蔽工艺

发布人：admin    发布时间：2020-07-26  13:47:49

KVVP2-22控制电缆中铜带屏蔽工艺

屏蔽所用的铜带**是韧炼充分的软铜带,两边不允许有卷边或裂口等缺陷。铜带太硬会割破外半导电层,太软也容易发皱。绕包时,绕包头角度要调好，包带张力控制适当,避免张力过紧。因电缆通电时,绝缘会发热而有所膨胀,若铜带绕的太紧话,有可能造成铜带嵌入绝缘屏蔽,或绷断铜带。屏蔽机收线盘的两侧应用软质材料衬垫,否则,容易造成两侧铜带在本道或下道工序轧伤,严重时,破裂铜带会刺入外屏蔽乃至绝缘,造成击穿。铜带接头应采用点焊,不宜采用锡焊,更不能采用插接或胶带粘结或其他的一些等不规范操作。

铜带搭盖绕包形式，在电缆运行时金属屏蔽层间由于其接触面产生氧化物，以及弯曲冷热变形后减少了接触压力，会造成接触电阻成倍增加，影响短路电流的容量和短路电流的导通。接触不佳再加上热胀冷缩弯曲变形，将会直接损伤外半导电层。铜带金属屏蔽应与半导电层紧密接触，使之良好接地，但由于过热膨胀会导致铜带弓形膨胀变形以及半导电层损伤，所有的这些情况造成的不佳接地均会使电缆局放性能下降。

如果铜带屏蔽层断裂或铜带接头处焊接不佳导致断裂，则有可能从铜带屏蔽层非接地端流向接地端的充电电流会在铜带屏蔽层断裂处强行通过外半导电层流过，该处外半导电层发热，温度上升。此时温度会很高，使铜带屏蔽层断裂处的外半导电层急剧老化。如果上述状态持续继续发展，外半导电层的电阻进一步增大，在铜带屏蔽层断裂处，铜带屏蔽层非接地端与接地端之间产生的电位差的作用下，产生的放电现象进一步加速电缆从绝缘体表层开始老化。因此，在铜带屏蔽层断裂后，其断裂处电缆绝缘会在较短时间内产生老化，直至绝缘破坏。由此可见铜带屏蔽工艺在中压电缆过程中也是相当重要的。铜带屏蔽工艺

屏蔽所用的铜带**是韧炼充分的软铜带,两边不允许有卷边或裂口等缺陷。铜带太硬会割破外半导电层,太软也容易发皱。绕包时,绕包头角度要调好，包带张力控制适当,避免张力过紧。因电缆通电时,绝缘会发热而有所膨胀,若铜带绕的太紧话,有可能造成铜带嵌入绝缘屏蔽,或绷断铜带。屏蔽机收线盘的两侧应用软质材料衬垫,否则,容易造成两侧铜带在本道或下道工序轧伤,严重时,破裂铜带会刺入外屏蔽乃至绝缘,造成击穿。铜带接头应采用点焊,不宜采用锡焊,更不能采用插接或胶带粘结或其他的一些等不规范操作。

铜带搭盖绕包形式，在电缆运行时金属屏蔽层间由于其接触面产生氧化物，以及弯曲冷热变形后减少了接触压力，会造成接触电阻成倍增加，影响短路电流的容量和短路电流的导通。接触不佳再加上热胀冷缩弯曲变形，将会直接损伤外半导电层。铜带金属屏蔽应与半导电层紧密接触，使之良好接地，但由于过热膨胀会导致铜带弓形膨胀变形以及半导电层损伤，所有的这些情况造成的不佳接地均会使电缆局放性能下降。

如果铜带屏蔽层断裂或铜带接头处焊接不佳导致断裂，则有可能从铜带屏蔽层非接地端流向接地端的充电电流会在铜带屏蔽层断裂处强行通过外半导电层流过，该处外半导电层发热，温度上升。此时温度会很高，使铜带屏蔽层断裂处的外半导电层急剧老化。如果上述状态持续继续发展，外半导电层的电阻进一步增大，在铜带屏蔽层断裂处，铜带屏蔽层非接地端与接地端之间产生的电位差的作用下，产生的放电现象进一步加速电缆从绝缘体表层开始老化。因此，在铜带屏蔽层断裂后，其断裂处电缆绝缘会在较短时间内产生老化，直至绝缘破坏。由此可见铜带屏蔽工艺在中压电缆过程中也是相当重要的。

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